電壓放大器在芯片級(jí)腔光力傳感器諧振腔耦合實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:芯片級(jí)腔光力傳感器諧振腔中的可控光機(jī)械耦合實(shí)驗(yàn)
研究方向:腔光力系統(tǒng)、光子晶體技術(shù)、精密測(cè)量、噪聲抑制與Q值增強(qiáng)。
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/strong>本研究采用絕緣體上硅(Silicon‐On‐Insulator,SOI)技術(shù)刻蝕制作的芯片級(jí)腔光力加速度計(jì)作為實(shí)驗(yàn)的光機(jī)械系統(tǒng)。通過調(diào)節(jié)光纖耦合狀態(tài)改變腔內(nèi)光場(chǎng)模態(tài)體積,實(shí)現(xiàn)光機(jī)械耦合強(qiáng)度的可控性。驗(yàn)證強(qiáng)互鎖狀態(tài)下機(jī)械品質(zhì)因數(shù)(Q值)的提升及系統(tǒng)底噪的抑制效果。開發(fā)高靈敏度的腔光力加速度傳感器,目標(biāo)頻段為千赫茲范圍。
測(cè)試設(shè)備:
1、光學(xué)系統(tǒng):激光源(工作波長1510nm)、光纖偏振控制器(FPC)、V型光纖錐(透射率>90%)。光電探測(cè)器(PD)、電子頻譜儀(ESA)、數(shù)據(jù)采集卡(DAQ)。
2、真空環(huán)境:真空腔(含水平振動(dòng)臺(tái))、真空計(jì)、顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng)。
3、核心器件:硅基二維光子晶體諧振腔(尺寸16μm×10μm,晶格常數(shù)510nm)。高壓放大器(用于驅(qū)動(dòng)壓電陶瓷產(chǎn)生加速度信號(hào))。
4、模擬軟件:COMSOL(用于電場(chǎng)分布模擬)。
5、光機(jī)械耦合測(cè)試實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)原理圖見圖1(a),系統(tǒng)實(shí)物圖見圖1(b)。
注:①激光源;②光纖跳線;③三環(huán)偏振控制器;④真空光纖法蘭;⑤真空腔;⑥光電探測(cè)器;⑦頻譜儀;⑧真空排針;⑨電壓源;⑩波形發(fā)生器;?高壓放大器;?射頻跳線;?數(shù)據(jù)采集器;?計(jì)算機(jī);?顯微鏡;?點(diǎn)光源;?真空計(jì)。


圖1:光機(jī)械耦合測(cè)試系統(tǒng)
實(shí)驗(yàn)過程:
1、系統(tǒng)搭建:
(1)將光子晶體諧振腔安裝在真空腔內(nèi),通過V型光纖耦合激光。
(2)使用顯微鏡和納米促動(dòng)器精確調(diào)控光纖位置,改變光場(chǎng)模態(tài)體積。
2、耦合調(diào)控:
(1)調(diào)整光纖與微腔的接觸狀態(tài),誘導(dǎo)Drude自脈沖等離子體鎖定。
(2)監(jiān)測(cè)自脈沖振蕩(1510.40–1511.06nm)與光機(jī)械自持續(xù)振蕩(1511.06–1511.86nm)的共存狀態(tài),自脈沖振蕩和光機(jī)械共振共存的過渡狀態(tài)光學(xué)特性如圖2所示。

圖2:自脈沖振蕩和光機(jī)械共振共存的過渡狀態(tài)光學(xué)特性
3、性能測(cè)試:
(1)在強(qiáng)互鎖模式下,施加6kHz交流加速度激勵(lì),記錄機(jī)械譜響應(yīng)。圖3顯示了強(qiáng)互鎖模式下的光機(jī)械傳感響應(yīng),其中,黑線(Test1)表示靜止?fàn)顟B(tài)下光機(jī)械傳感器的功率譜密度,而6kHz處的藍(lán)線(Test2)和紅線(Test3)則表示在施加不同幅值的6kHz交流加速度后的機(jī)械譜。

圖3:6kHz加速度激勵(lì)下強(qiáng)互鎖模式的光機(jī)械傳感響應(yīng)
(2)通過頻譜分析計(jì)算靈敏度,并對(duì)比弱/強(qiáng)互鎖狀態(tài)的Q值與底噪差異,對(duì)其進(jìn)行線性擬合后,可得出6kHz處加速度計(jì)的靈敏度為126.58mV/g如圖4所示。

圖4:6kHz加速度下強(qiáng)互鎖態(tài)加速度計(jì)傳感器的靈敏度
實(shí)驗(yàn)結(jié)果:1、Q值提升:強(qiáng)互鎖狀態(tài)下機(jī)械Q值較弱互鎖狀態(tài)提升約10倍。2、噪聲抑制:系統(tǒng)底噪降低26dB。3、靈敏度:加速度傳感器在6kHz下達(dá)到126.58mV/g的靈敏度。4、光機(jī)械鎖定:功實(shí)現(xiàn)低頻(72.2kHz)光機(jī)械共振與自脈沖的互鎖。
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圖:ATA-2042高壓放大器指標(biāo)參數(shù)
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